DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。
含义：为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
写操作时，写选择线为ŕ"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时，Q3处于可导通的状态。若原来存有ŕ"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电，此时读得的信息为Ŕ"，正好和原存信息相反。